集成直流电源电路工艺简介之二

 

   

        通常元、器件就是在 直流电源外延层上制造的。气相淀积法就是将含有SiCh的运载气体通过加热到1140—1250'C的硅片时,产生化学反应·分离出的Si原子按衬底硅原子的排列方向淀积在硅片衬底的表面上。通过控制外延生长时间、Sia.的浓度和外延炉的温度可控制外延层的厚度。外延层的电阻率和导电类型是通过控制在外廷生长过程中掺入杂质的浓度和杂质的类型来进行控制。

上一篇:开关电源直流刊物出版和审批之三

下一篇:CMOS管在充电机里的运用